道熵核心存储技术再获国家发明专利授权
接国家知识产权局通知，道熵核心存储技术之一：一种改善Flash磨损寿命的方法、控制装置及存储系统，于11月4号获得国家发明专利授权。
该发明公开了一种改善闪存芯片（Flash）磨损寿命的方法、控制装置及存储系统。通过采集各个闪存芯片上存储单元（Block或Page）的原始误码率RBER，和纠正误码数CBE；自适应调制闪存芯片的最优读电平阀值，来提高闪存芯片的读出信号质量，从而达到提升寿命的目的。此外，自动化匹配数据的更新特质与芯片存储单元的磨损情况，通过自适应算法，智能化地将用户反复写的数据安置在磨损程度较轻的闪存存储单元，实现全局寿命均衡管理，延缓存储单元的损坏速度，提高存储系统的稳定性和寿命。
目前，固态盘因为卓越的性能优势已经被广泛应用于混合闪存磁盘阵列、全闪存磁盘阵列和分布式存储系统中。与传统基于磁记录的机械硬盘相比，闪存存储设备可以极低的功耗提供高于机械硬盘数十倍甚至百倍的IOPS性能。道熵经过多年探索实践，在将闪存应用于性能提升方面拥有了多项专利技术，比如“固态写缓存”、“非对称混合闪存 ”等，同等配置下可将性能提升3倍以上。
与此同时，闪存芯片也面临写入次数受限的技术挑战，随着闪存芯片从SLC到MLC，再到QLC，容量不断增长，理论寿命也不断降低。道熵该项发明专利授权的获得，不仅表明道熵的存储核心技术获得国家权威机构的认可，也标志着道熵的存储旗舰产品——瑞吉9000磁盘阵列、铁力士超融合与分布式存储系统，在系统稳定性和使用寿命方面超越市场上同类产品。
道熵Rigi9000-2SP
作为信息化领域国家高新技术企业，南京道熵信息技术有限公司是行业内领先的磁盘阵列、分布式存储、超融合与混合云的专业厂商与技术服务商。公司在瑞士苏黎士和中国南京设立双发中心，秉承"万无一失、方为存储"的产品理念，持守"Do Right Thing (做正确的事)、Pursue Excellence (追求卓越) 、Help Others Succeed (成就他人) "的企业信仰,矢志为用户构建安全可靠的新一代数据存储系统、超融合与混合云解决方案。
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